当前位置: 萬仟网 > 科技>办公>内存 > 国产澜起科技DDR4全缓冲架构纳入国际标准 正研发DDR5内存

国产澜起科技DDR4全缓冲架构纳入国际标准 正研发DDR5内存

2019年06月08日 01:46  | 萬仟网科技  | 我要评论

在存储芯片领域,dram内存及nand闪存的国产率都基本是0,技术及产能主要掌握在三星、sk hynix、美光、东芝等公司手中,尤其是高价值的dram内存芯片,三星、sk hynix及美光三家公司占了全球95%的份额。

国内的dram内存芯片布局主要有合肥长鑫/兆易创新的内存芯片项目,福建晋华与台联电合作的内存项目由于被美国制裁而陷入了困境。除了dram芯片,国内还是一些公司主攻内存接口芯片,前不久宣布津逮系列国产x86处理器的杭州澜起科技就是其中之一,该公司正在申请国内的科创板上市,日前在招股书中披露了他们在ddr内存芯片上的技术进展及布局。

国产澜起科技ddr4全缓冲架构纳入国际标准 正研发ddr5内存

澜起科技成立于2004年,是全球内存接口芯片的主要供应商之一,凭借领先的技术水平,在ddr4阶段逐步确立了行业领先优势,公司2018年营业收入175,766.46万元,净利润73,687.84万元。

澜起科技发明了ddr4全缓冲“1+9”架构,最终被jedec国际标准采纳。公司凭借具有自主知识产权的高速、低功耗技术,为新一代服务器平台提供完全符合 jedec 标准的高性能内存接口解决方案,同时正积极参与ddr5 jedec 标准的制定,是全球可提供从ddr2到 ddr4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一,在该领域拥有重要话语权。

目前,公司根据内存模组制造商的研发进度,积极布局研发ddr5存接口芯片,新一代产品能够有效支持ddr5的高速、低功耗等要求。

国产澜起科技ddr4全缓冲架构纳入国际标准 正研发ddr5内存

根据澜起科技的公告,在内存接口芯片业务领域,为巩固公司的市场领先地位,澜起在未来三年完成第一代ddr5内存接口芯片的研发和产业化。

如对本文有疑问,请在下面进行留言讨论,广大热心网友会与你互动!! 点击进行留言回复

相关文章:

◎已有 0 人评论

Copyright © 2019  萬仟网 保留所有权利. 粤ICP备17035492号-1
站长QQ:2386932994 | 联系邮箱:2386932994@qq.com